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IS42S16320D-7BL

IS42S16320D-7BL

Nur als Referenz

Teilenummer IS42S16320D-7BL
PNEDA Teilenummer IS42S16320D-7BL
Beschreibung IC DRAM 512M PARALLEL 54TFBGA
Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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Auf Lager 4.428
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IS42S16320D-7BL Ressourcen

Marke ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIS42S16320D-7BL
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
IS42S16320D-7BL, IS42S16320D-7BL Datenblatt (Total Pages: 66, Größe: 1.365,07 KB)
PDFIS45S16320D-7CTLA2 Datenblatt Cover
IS45S16320D-7CTLA2 Datenblatt Seite 2 IS45S16320D-7CTLA2 Datenblatt Seite 3 IS45S16320D-7CTLA2 Datenblatt Seite 4 IS45S16320D-7CTLA2 Datenblatt Seite 5 IS45S16320D-7CTLA2 Datenblatt Seite 6 IS45S16320D-7CTLA2 Datenblatt Seite 7 IS45S16320D-7CTLA2 Datenblatt Seite 8 IS45S16320D-7CTLA2 Datenblatt Seite 9 IS45S16320D-7CTLA2 Datenblatt Seite 10 IS45S16320D-7CTLA2 Datenblatt Seite 11

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IS42S16320D-7BL Technische Daten

HerstellerISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatDRAM
TechnologieSDRAM
Speichergröße512Mb (32M x 16)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz143MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite-
Zugriffszeit5.4ns
Spannung - Versorgung3V ~ 3.6V
Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall54-TFBGA
Lieferantengerätepaket54-TFBGA (8x13)

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Micron Technology Inc.

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Speichergröße

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Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

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Betriebstemperatur

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-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

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Technologie

EEPROM

Speichergröße

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Speicherschnittstelle

I²C

Taktfrequenz

400kHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

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Spannung - Versorgung

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Betriebstemperatur

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

128kb (64B Page Size)

Speicherschnittstelle

I²C

Taktfrequenz

1MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

100µs, 2.5ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

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Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

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Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EPROM

Technologie

EPROM - OTP

Speichergröße

1Mb (128K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

120ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

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Speichertyp

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Speicherformat

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Speichergröße

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Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

533MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.14V ~ 1.3V

Betriebstemperatur

-30°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

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