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IS42S16160J-6BL-TR

IS42S16160J-6BL-TR

Nur als Referenz

Teilenummer IS42S16160J-6BL-TR
PNEDA Teilenummer IS42S16160J-6BL-TR
Beschreibung IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA
Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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IS42S16160J-6BL-TR Ressourcen

Marke ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIS42S16160J-6BL-TR
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
IS42S16160J-6BL-TR, IS42S16160J-6BL-TR Datenblatt (Total Pages: 63, Größe: 980,06 KB)
PDFIS42S16160J-6TI Datenblatt Cover
IS42S16160J-6TI Datenblatt Seite 2 IS42S16160J-6TI Datenblatt Seite 3 IS42S16160J-6TI Datenblatt Seite 4 IS42S16160J-6TI Datenblatt Seite 5 IS42S16160J-6TI Datenblatt Seite 6 IS42S16160J-6TI Datenblatt Seite 7 IS42S16160J-6TI Datenblatt Seite 8 IS42S16160J-6TI Datenblatt Seite 9 IS42S16160J-6TI Datenblatt Seite 10 IS42S16160J-6TI Datenblatt Seite 11

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IS42S16160J-6BL-TR Technische Daten

HerstellerISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatDRAM
TechnologieSDRAM
Speichergröße256Mb (16M x 16)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz166MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite-
Zugriffszeit5.4ns
Spannung - Versorgung3V ~ 3.6V
Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall54-TFBGA
Lieferantengerätepaket54-TFBGA (8x8)

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Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

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Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

10ms

Zugriffszeit

250ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

32-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

Lieferantengerätepaket

32-SOIC

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Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - DDR

Speichergröße

256Mb (64M x 4)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

167MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

700ps

Spannung - Versorgung

2.3V ~ 2.7V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

66-TSOP

IS61LP6432A-133TQ-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, SDR

Speichergröße

2Mb (64K x 32)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

133MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

4ns

Spannung - Versorgung

3.135V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

100-TQFP (14x20)

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

2Kb (256 x 8)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

20MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.8V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

*

Speichertyp

-

Speicherformat

-

Technologie

-

Speichergröße

-

Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

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-

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