IS42S16160G-7BI
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| Teilenummer | IS42S16160G-7BI |
| PNEDA Teilenummer | IS42S16160G-7BI |
| Beschreibung | IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA |
| Hersteller | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.758 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IS42S16160G-7BI Ressourcen
| Marke | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IS42S16160G-7BI |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
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IS42S16160G-7BI Technische Daten
| Hersteller | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Serie | - |
| Speichertyp | Volatile |
| Speicherformat | DRAM |
| Technologie | SDRAM |
| Speichergröße | 256Mb (16M x 16) |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | 143MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
| Zugriffszeit | 5.4ns |
| Spannung - Versorgung | 3V ~ 3.6V |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 54-TFBGA |
| Lieferantengerätepaket | 54-TFBGA (8x8) |
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Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße 36Mb (1M x 36) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 117MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit 7.5ns Spannung - Versorgung 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 100-LQFP Lieferantengerätepaket 100-LQFP (14x20) |
Hersteller Fremont Micro Devices Ltd Serie - Speichertyp Non-Volatile Speicherformat EEPROM Technologie EEPROM Speichergröße 16Kb (2K x 8) Speicherschnittstelle I²C Taktfrequenz 1MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 5ms Zugriffszeit 550ns Spannung - Versorgung 1.8V ~ 5.5V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Lieferantengerätepaket 8-TSSOP |
