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IS42S16100F-7BL-TR

IS42S16100F-7BL-TR

Nur als Referenz

Teilenummer IS42S16100F-7BL-TR
PNEDA Teilenummer IS42S16100F-7BL-TR
Beschreibung IC DRAM 16M PARALLEL 60TFBGA
Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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Lager Shipped from Hong Kong SAR
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IS42S16100F-7BL-TR Ressourcen

Marke ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIS42S16100F-7BL-TR
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
IS42S16100F-7BL-TR, IS42S16100F-7BL-TR Datenblatt (Total Pages: 86, Größe: 1.571,34 KB)
PDFIS42S16100F-7TL-TR Datenblatt Cover
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IS42S16100F-7BL-TR Technische Daten

HerstellerISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatDRAM
TechnologieSDRAM
Speichergröße16Mb (1M x 16)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz143MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite-
Zugriffszeit5.5ns
Spannung - Versorgung3V ~ 3.6V
Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall60-TFBGA
Lieferantengerätepaket60-TFBGA (6.4x10.1)

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Hersteller

Alliance Memory, Inc.

Serie

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Speichertyp

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Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

18Mb (1M x 18)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

166MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

6ns

Zugriffszeit

3.5ns

Spannung - Versorgung

2.3V ~ 2.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

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Speichertyp

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Speicherformat

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Technologie

EEPROM

Speichergröße

128Kb (16K x 8)

Speicherschnittstelle

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Taktfrequenz

400kHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

10ms

Zugriffszeit

900ns

Spannung - Versorgung

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Betriebstemperatur

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Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

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-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

NVSRAM

Technologie

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

Speichergröße

4Mb (512K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

25ns

Zugriffszeit

25ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NAND

Speichergröße

128Gb (16G x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

83MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

Microchip Technology

Serie

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

4Kb (256 x 8 x 2)

Speicherschnittstelle

I²C

Taktfrequenz

400kHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

900ns

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Through Hole

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