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IS42S16100E-7BLI-TR

IS42S16100E-7BLI-TR

Nur als Referenz

Teilenummer IS42S16100E-7BLI-TR
PNEDA Teilenummer IS42S16100E-7BLI-TR
Beschreibung IC DRAM 16M PARALLEL 60TFBGA
Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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IS42S16100E-7BLI-TR Ressourcen

Marke ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIS42S16100E-7BLI-TR
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
IS42S16100E-7BLI-TR, IS42S16100E-7BLI-TR Datenblatt (Total Pages: 81, Größe: 1.191,97 KB)
PDFIS42S16100E-7TLI-TR Datenblatt Cover
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IS42S16100E-7BLI-TR Technische Daten

HerstellerISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatDRAM
TechnologieSDRAM
Speichergröße16Mb (1M x 16)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz143MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite-
Zugriffszeit5.5ns
Spannung - Versorgung3V ~ 3.6V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall60-TFBGA
Lieferantengerätepaket60-TFBGA (6.4x10.1)

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Speicherformat

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Parallel

Taktfrequenz

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Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

5ns

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.95V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

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Speichergröße

1Gb (64M x 16)

Speicherschnittstelle

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Taktfrequenz

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Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

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Serie

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Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

16Kb (16K x 1)

Speicherschnittstelle

1-Wire®

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

15µs

Spannung - Versorgung

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-LSOJ (0.148", 3.76mm Width)

Lieferantengerätepaket

6-TSOC

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Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NAND

Speichergröße

2Gb (256M x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

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Serie

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

2Kb (128 x 16)

Speicherschnittstelle

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Taktfrequenz

1MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

10ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

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