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IS42RM32400H-6BLI-TR

IS42RM32400H-6BLI-TR

Nur als Referenz

Teilenummer IS42RM32400H-6BLI-TR
PNEDA Teilenummer IS42RM32400H-6BLI-TR
Beschreibung IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA
Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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IS42RM32400H-6BLI-TR Ressourcen

Marke ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIS42RM32400H-6BLI-TR
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
IS42RM32400H-6BLI-TR, IS42RM32400H-6BLI-TR Datenblatt (Total Pages: 34, Größe: 904,09 KB)
PDFIS42SM32400H-75BI-TR Datenblatt Cover
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IS42RM32400H-6BLI-TR Technische Daten

HerstellerISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatDRAM
TechnologieSDRAM - Mobile
Speichergröße128Mb (4M x 32)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz166MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite-
Zugriffszeit5.5ns
Spannung - Versorgung2.3V ~ 2.7V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall90-TFBGA
Lieferantengerätepaket90-TFBGA (8x13)

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Alliance Memory, Inc.

Hersteller

Alliance Memory, Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

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Speichergröße

512Mb (32M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

200MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

700ps

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.9V

Betriebstemperatur

-30°C ~ 85°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

60-VFBGA

Lieferantengerätepaket

60-FBGA (8x9)

S29CL032J0RFFM033

Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

CL-J

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

32Mb (1M x 32)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

75MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

60ns

Zugriffszeit

54ns

Spannung - Versorgung

1.65V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

80-LBGA

Lieferantengerätepaket

80-FBGA (13x11)

S29GL128P11TFIV13

Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

GL-P

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

128M (16M x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

110ns

Zugriffszeit

110ns

Spannung - Versorgung

1.65V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

Lieferantengerätepaket

56-TSOP

SST39VF3202B-70-4I-EKE

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Hersteller

Microchip Technology

Serie

SST39 MPF™

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH

Speichergröße

32Mb (2M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

10µs

Zugriffszeit

70ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

Lieferantengerätepaket

48-TSOP

BR24L08FV-WE2

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

8Kb (1K x 8)

Speicherschnittstelle

I²C

Taktfrequenz

400kHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.8V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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