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IS41LV16100B-60TL-TR

IS41LV16100B-60TL-TR

Nur als Referenz

Teilenummer IS41LV16100B-60TL-TR
PNEDA Teilenummer IS41LV16100B-60TL-TR
Beschreibung IC DRAM 16M PARALLEL 44TSOP II
Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IS41LV16100B-60TL-TR Ressourcen

Marke ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIS41LV16100B-60TL-TR
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
IS41LV16100B-60TL-TR, IS41LV16100B-60TL-TR Datenblatt (Total Pages: 22, Größe: 186,86 KB)
PDFIS41LV16100B-60TLI-TR Datenblatt Cover
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IS41LV16100B-60TL-TR Technische Daten

HerstellerISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatDRAM
TechnologieDRAM - EDO
Speichergröße16Mb (1M x 16)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite-
Zugriffszeit30ns
Spannung - Versorgung3V ~ 3.6V
Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Lieferantengerätepaket44-TSOP II

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-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

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Spannung - Versorgung

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Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

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Serie

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

8Kb (1K x 8)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

3MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

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Betriebstemperatur

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Speichertyp

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Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

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Speicherschnittstelle

MMC

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

Maxim Integrated

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

1Kb (256 x 4)

Speicherschnittstelle

1-Wire®

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

2µs

Spannung - Versorgung

3V ~ 5.25V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Asynchronous

Speichergröße

16Mb (1M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

10ns

Zugriffszeit

10ns

Spannung - Versorgung

2.2V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

Lieferantengerätepaket

54-TSOP II

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