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IS26KL512S-DABLA300TR

IS26KL512S-DABLA300TR

Nur als Referenz

Teilenummer IS26KL512S-DABLA300TR
PNEDA Teilenummer IS26KL512S-DABLA300TR
Beschreibung IC FLASH 512M PARALLEL 100MHZ
Hersteller Cypress Semiconductor
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Auf Lager 6.534
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IS26KL512S-DABLA300TR Ressourcen

Marke Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIS26KL512S-DABLA300TR
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher

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IS26KL512S-DABLA300TR Technische Daten

HerstellerCypress Semiconductor Corp
SerieAutomotive, AEC-Q100, HyperFlash™ KL
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatFLASH
TechnologieFLASH - NOR
Speichergröße512Mb (64M x 8)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz100MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite-
Zugriffszeit96ns
Spannung - Versorgung2.7V ~ 3.6V
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall24-VBGA
Lieferantengerätepaket24-FBGA (6x8)

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Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

512Mb (64M x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

333MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

450ps

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.9V

Betriebstemperatur

0°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

60-FBGA

Lieferantengerätepaket

60-FBGA

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Asynchronous

Speichergröße

1Mb (64K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

55ns

Zugriffszeit

55ns

Spannung - Versorgung

2.3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

48-LFBGA

Lieferantengerätepaket

48-BGA (6x8)

IS61NLP51236B-200TQLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, SDR

Speichergröße

18Mb (512K x 36)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

200MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

3ns

Spannung - Versorgung

3.135V ~ 3.465V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

100-LQFP

Lieferantengerätepaket

100-LQFP (14x20)

MB85RS2MTPF-G-JNERE2

Fujitsu Electronics

Hersteller

Fujitsu Electronics America, Inc.

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FRAM

Technologie

FRAM (Ferroelectric RAM)

Speichergröße

2Mb (256K x 8)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

25MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.8V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOP

S29GL128S90FHI013

Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

GL-S

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

128Mb (8M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

60ns

Zugriffszeit

90ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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