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IS25WQ020-JNLE

IS25WQ020-JNLE

Nur als Referenz

Teilenummer IS25WQ020-JNLE
PNEDA Teilenummer IS25WQ020-JNLE
Beschreibung IC FLASH 2M SPI 104MHZ 8SOP
Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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Auf Lager 7.218
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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IS25WQ020-JNLE Ressourcen

Marke ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIS25WQ020-JNLE
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
IS25WQ020-JNLE, IS25WQ020-JNLE Datenblatt (Total Pages: 65, Größe: 1.280,24 KB)
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IS25WQ020-JNLE Technische Daten

HerstellerISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie-
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatFLASH
TechnologieFLASH - NOR
Speichergröße2Mb (256K x 8)
SpeicherschnittstelleSPI
Taktfrequenz104MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite1ms
Zugriffszeit-
Spannung - Versorgung1.65V ~ 1.95V
Betriebstemperatur-40°C ~ 105°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Lieferantengerätepaket8-SOP

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Speichertyp

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Speichergröße

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Schreibzykluszeit - Wort, Seite

12ns

Zugriffszeit

5.4ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

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Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - DDR3

Speichergröße

2Gb (128M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

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Schreibzykluszeit - Wort, Seite

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Zugriffszeit

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Spannung - Versorgung

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Betriebstemperatur

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Montagetyp

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Paket / Fall

96-TFBGA

Lieferantengerätepaket

96-TWBGA (9x13)

Hersteller

Macronix

Serie

MX25xxx05/06

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

2Mb (256K x 8)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

86MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

50µs, 3ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EPROM

Technologie

EPROM - OTP

Speichergröße

512Kb (32K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

55ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

40-TFSOP (0.488", 12.40mm Width)

Lieferantengerätepaket

40-VSOP

CY62177EV18LL-70BAXIT

Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Asynchronous

Speichergröße

32Mb (4M x 8, 2M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

70ns

Zugriffszeit

70ns

Spannung - Versorgung

1.65V ~ 2.25V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

48-TFBGA

Lieferantengerätepaket

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