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IS25LP032D-JNLE-TR

IS25LP032D-JNLE-TR IS25LP032D-JNLE-TR

Nur als Referenz

Teilenummer IS25LP032D-JNLE-TR
PNEDA Teilenummer IS25LP032D-JNLE-TR
Beschreibung IC FLASH 32M SPI 133MHZ 8SOP
Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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IS25LP032D-JNLE-TR Ressourcen

Marke ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIS25LP032D-JNLE-TR
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
IS25LP032D-JNLE-TR, IS25LP032D-JNLE-TR Datenblatt (Total Pages: 118, Größe: 2.112,9 KB)
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IS25LP032D-JNLE-TR Technische Daten

HerstellerISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie-
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatFLASH
TechnologieFLASH - NOR
Speichergröße32Mb (4M x 8)
SpeicherschnittstelleSPI - Quad I/O, QPI, DTR
Taktfrequenz133MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite800µs
Zugriffszeit-
Spannung - Versorgung2.3V ~ 3.6V
Betriebstemperatur-40°C ~ 105°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket8-SOP

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Speichergröße

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Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

800MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

20ns

Spannung - Versorgung

1.425V ~ 1.575V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 105°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

78-FBGA (8x10.5)

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

NVSRAM

Technologie

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

Speichergröße

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Speicherschnittstelle

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Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

100ns

Zugriffszeit

100ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

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Paket / Fall

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Hersteller

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Serie

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

NVSRAM

Technologie

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

Speichergröße

64Kb (8K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

150ns

Zugriffszeit

150ns

Spannung - Versorgung

4.75V ~ 5.25V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

28-DIP Module (0.600", 15.24mm)

Lieferantengerätepaket

28-EDIP

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Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

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Technologie

SRAM - Synchronous, SDR

Speichergröße

18Mb (1M x 18)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

117MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

7.5ns

Spannung - Versorgung

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Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

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Micron Technology Inc.

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Speichertyp

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Speicherformat

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Speicherschnittstelle

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Taktfrequenz

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Schreibzykluszeit - Wort, Seite

70ns

Zugriffszeit

70ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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