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IS25CD512-JKLE-TR

IS25CD512-JKLE-TR

Nur als Referenz

Teilenummer IS25CD512-JKLE-TR
PNEDA Teilenummer IS25CD512-JKLE-TR
Beschreibung IC FLASH 512K SPI 100MHZ 8WSON
Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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Auf Lager 8.154
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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IS25CD512-JKLE-TR Ressourcen

Marke ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIS25CD512-JKLE-TR
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
IS25CD512-JKLE-TR, IS25CD512-JKLE-TR Datenblatt (Total Pages: 40, Größe: 906,76 KB)
PDFIS25CD010-JNLE-TR Datenblatt Cover
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IS25CD512-JKLE-TR Technische Daten

HerstellerISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie-
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatFLASH
TechnologieFLASH
Speichergröße512Kb (64K x 8)
SpeicherschnittstelleSPI
Taktfrequenz100MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite5ms
Zugriffszeit-
Spannung - Versorgung2.7V ~ 3.6V
Betriebstemperatur-40°C ~ 105°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-WDFN Exposed Pad
Lieferantengerätepaket8-WSON (6x5)

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Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

Speichergröße

4.5Mb (128K x 36)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

133MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

4.2ns

Spannung - Versorgung

3.135V ~ 3.465V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

RAM

Technologie

SGRAM - GDDR5

Speichergröße

8Gb (256M x 32)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

1.75GHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.31V ~ 1.39V, 1.46V ~ 1.55V

Betriebstemperatur

0°C ~ 95°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

170-TFBGA

Lieferantengerätepaket

170-FBGA (12x14)

IS42S32200E-6TLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM

Speichergröße

64Mb (2M x 32)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

166MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

5.5ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)

Lieferantengerätepaket

86-TSOP II

IS43LD32640B-18BL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - Mobile LPDDR2-S4

Speichergröße

2Gb (64M x 32)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

533MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.14V ~ 1.95V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

134-TFBGA

Lieferantengerätepaket

134-TFBGA (10x11.5)

24AA08T-I/MS

Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

8Kb (256 x 8 x 4)

Speicherschnittstelle

I²C

Taktfrequenz

400kHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

900ns

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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