IRS2608DSTRPBF
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| Teilenummer | IRS2608DSTRPBF |
| PNEDA Teilenummer | IRS2608DSTRPBF |
| Beschreibung | IC DRIVER MOSFET/IGBT 8-SOIC |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.914 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Apr 3 - Apr 8 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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IRS2608DSTRPBF Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IRS2608DSTRPBF |
| Kategorie | Halbleiter › Energieverwaltungs-ICs › PMIC - Gate-Treiber |
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IRS2608DSTRPBF Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| Angetriebene Konfiguration | Half-Bridge |
| Kanaltyp | Independent |
| Anzahl der Treiber | 2 |
| Gate-Typ | IGBT, N-Channel MOSFET |
| Spannung - Versorgung | 10V ~ 20V |
| Logikspannung - VIL, VIH | 0.8V, 2.2V |
| Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) | 200mA, 350mA |
| Eingabetyp | Inverting, Non-Inverting |
| High Side Voltage - Max (Bootstrap) | 600V |
| Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) | 150ns, 50ns |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 8-SOIC |
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Hersteller Microchip Technology Serie - Angetriebene Konfiguration Low-Side Kanaltyp Independent Anzahl der Treiber 4 Gate-Typ N-Channel, P-Channel MOSFET Spannung - Versorgung 4.5V ~ 18V Logikspannung - VIL, VIH 0.8V, 2.4V Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) 1.2A, 1.2A Eingabetyp Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) - Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 15ns, 15ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall 14-CDIP (0.300", 7.62mm) Lieferantengerätepaket 14-CERDIP |
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