IRS21858STRPBF
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| Teilenummer | IRS21858STRPBF |
| PNEDA Teilenummer | IRS21858STRPBF |
| Beschreibung | IC DVR HI SIDE DUAL 600V 16SOIC |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.176 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Apr 9 - Apr 14 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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IRS21858STRPBF Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IRS21858STRPBF |
| Kategorie | Halbleiter › Energieverwaltungs-ICs › PMIC - Gate-Treiber |
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IRS21858STRPBF Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| Angetriebene Konfiguration | High-Side |
| Kanaltyp | Independent |
| Anzahl der Treiber | 2 |
| Gate-Typ | IGBT, N-Channel MOSFET |
| Spannung - Versorgung | 10V ~ 20V |
| Logikspannung - VIL, VIH | 0.8V, 3.5V |
| Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) | 290mA, 600mA |
| Eingabetyp | Non-Inverting |
| High Side Voltage - Max (Bootstrap) | 600V |
| Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) | 60ns, 20ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 16-SOIC |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - Angetriebene Konfiguration - Kanaltyp - Anzahl der Treiber - Gate-Typ - Spannung - Versorgung - Logikspannung - VIL, VIH - Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) - Eingabetyp - High Side Voltage - Max (Bootstrap) - Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller Serie - Angetriebene Konfiguration Low-Side Kanaltyp Synchronous Anzahl der Treiber 2 Gate-Typ N-Channel, P-Channel MOSFET Spannung - Versorgung 4V ~ 14V Logikspannung - VIL, VIH 1V, 4V Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) 2A, 2A Eingabetyp Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) - Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 14ns, 15ns Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOIC |
Hersteller Renesas Electronics America Inc. Serie - Angetriebene Konfiguration Half-Bridge Kanaltyp Synchronous Anzahl der Treiber 4 Gate-Typ N-Channel MOSFET Spannung - Versorgung 9.5V ~ 15V Logikspannung - VIL, VIH 1V, 2.5V Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) 2.6A, 2.4A Eingabetyp Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) 95V Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 10ns, 10ns Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Lieferantengerätepaket 20-SOIC |
Hersteller Renesas Electronics America Inc. Serie - Angetriebene Konfiguration Half-Bridge Kanaltyp Independent Anzahl der Treiber 2 Gate-Typ N-Channel MOSFET Spannung - Versorgung 9V ~ 14V Logikspannung - VIL, VIH 1.4V, 2.2V Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) 2A, 2A Eingabetyp Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) 114V Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 10ns, 10ns Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOIC |
Hersteller Renesas Electronics America Inc. Serie - Angetriebene Konfiguration Half-Bridge Kanaltyp Synchronous Anzahl der Treiber 2 Gate-Typ N-Channel MOSFET Spannung - Versorgung 7V ~ 13.2V Logikspannung - VIL, VIH - Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) 1.25A, 2A Eingabetyp Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) 36V Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 26ns, 18ns Betriebstemperatur 0°C ~ 125°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad Lieferantengerätepaket 8-SOIC-EP |
