IRLW610ATM
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| Teilenummer | IRLW610ATM |
| PNEDA Teilenummer | IRLW610ATM |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 200V 3.3A I2PAK |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.334 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 21 - Dez 26 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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IRLW610ATM Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IRLW610ATM |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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IRLW610ATM Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 3.3A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5Ohm @ 1.65A, 5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9nC @ 5V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 240pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 3.1W (Ta), 33W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | I2PAK (TO-262) |
| Paket / Fall | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
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Hersteller ON Semiconductor Serie PowerTrench® FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 5.5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 33mOhm @ 5.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 4.5V Vgs (Max) ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1926pF @ 10V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 1.6W (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket SuperSOT™-6 Paket / Fall SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Hersteller Diodes Incorporated Serie - FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 8.6A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 17mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 47nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2230pF @ 15V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 900mW (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket PowerDI3333-8 Paket / Fall 8-PowerVDFN |
Hersteller Infineon Technologies Serie Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 90A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.1mOhm @ 90A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 253µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 160nC @ 10V Vgs (Max) +5V, -16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 11300pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 137W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket PG-TO252-3 Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Hersteller Diodes Incorporated Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 4.2A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 80mOhm @ 3.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25.2nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1172pF @ 50V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 980mW (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket PowerDI3333-8 Paket / Fall 8-PowerVDFN |
Hersteller Infineon Technologies Serie OptiMOS™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 70A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.2mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 38nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3900pF @ 15V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 79W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket PG-TO220-3 Paket / Fall TO-220-3 |
