IRLU024N
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| Teilenummer | IRLU024N |
| PNEDA Teilenummer | IRLU024N |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 55V 17A I-PAK |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.094 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IRLU024N Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IRLU024N |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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IRLU024N Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | HEXFET® |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 17A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 65mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 5V |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 480pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 45W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | I-PAK |
| Paket / Fall | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
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Hersteller IXYS Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 1000V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 10A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5Ohm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 200nC @ 5V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5320pF @ 25V FET-Funktion Depletion Mode Verlustleistung (max.) 695W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket TO-268 Paket / Fall TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
Hersteller STMicroelectronics Serie Automotive, AEC-Q101, STripFET™ H6 FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 12A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 30mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 29nC @ 10V Vgs (Max) ±18V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1480pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 33W (Tc) Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket DPAK Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Hersteller STMicroelectronics Serie MDmesh™ V FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 22A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 148mOhm @ 11A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 45nC @ 10V Vgs (Max) ±25V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1865pF @ 100V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 30W (Tc) Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket I2PAKFP (TO-281) Paket / Fall TO-262-3 Full Pack, I²Pak |
Hersteller Diodes Incorporated Serie * FET-Typ - Technologie - Drain to Source Voltage (Vdss) - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (Max) - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - FET-Funktion - Verlustleistung (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Lieferantengerätepaket - Paket / Fall - |
Hersteller Infineon Technologies Serie OptiMOS™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 150V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 50A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 8V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 90µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 31nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1820pF @ 75V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 150W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket PG-TO220-3 Paket / Fall TO-220-3 |
