IRLS640A
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| Teilenummer | IRLS640A |
| PNEDA Teilenummer | IRLS640A |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 200V 9.8A TO-220F |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 52.188 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IRLS640A Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IRLS640A |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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IRLS640A Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 9.8A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180mOhm @ 4.9A, 5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 56nC @ 5V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1705pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 40W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-220F |
| Paket / Fall | TO-220-3 Full Pack |
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Hersteller STMicroelectronics Serie STripFET™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 85A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.7mOhm @ 8.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 60nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3400pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 80W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket PowerFlat™ (5x6) Paket / Fall 8-PowerVDFN |
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Hersteller IXYS Serie HiPerFET™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 48A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 90mOhm @ 27.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 8mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 330nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 9400pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 400W (Tc) Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket ISOPLUS247™ Paket / Fall ISOPLUS247™ |
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