IRLR3110ZTRRPBF
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| Teilenummer | IRLR3110ZTRRPBF |
| PNEDA Teilenummer | IRLR3110ZTRRPBF |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 100V 42A DPAK |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.528 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IRLR3110ZTRRPBF Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IRLR3110ZTRRPBF |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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IRLR3110ZTRRPBF Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | HEXFET® |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 42A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14mOhm @ 38A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 100µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 48nC @ 4.5V |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3980pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 140W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | D-Pak |
| Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 48A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 24A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 60nC @ 5V Vgs (Max) ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2000pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 100W (Tc) Betriebstemperatur -65°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-220-3 Paket / Fall TO-220-3 |
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