Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

IRLR3103

IRLR3103

Nur als Referenz

Teilenummer IRLR3103
PNEDA Teilenummer IRLR3103
Beschreibung MOSFET N-CH 30V 55A DPAK
Hersteller Infineon Technologies
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 6.696
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Feb 25 - Mär 2 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IRLR3103 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIRLR3103
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
IRLR3103, IRLR3103 Datenblatt (Total Pages: 11, Größe: 210,39 KB)
PDFIRLR3103TRR Datenblatt Cover
IRLR3103TRR Datenblatt Seite 2 IRLR3103TRR Datenblatt Seite 3 IRLR3103TRR Datenblatt Seite 4 IRLR3103TRR Datenblatt Seite 5 IRLR3103TRR Datenblatt Seite 6 IRLR3103TRR Datenblatt Seite 7 IRLR3103TRR Datenblatt Seite 8 IRLR3103TRR Datenblatt Seite 9 IRLR3103TRR Datenblatt Seite 10 IRLR3103TRR Datenblatt Seite 11

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • IRLR3103 Datasheet
  • where to find IRLR3103
  • Infineon Technologies

  • Infineon Technologies IRLR3103
  • IRLR3103 PDF Datasheet
  • IRLR3103 Stock

  • IRLR3103 Pinout
  • Datasheet IRLR3103
  • IRLR3103 Supplier

  • Infineon Technologies Distributor
  • IRLR3103 Price
  • IRLR3103 Distributor

IRLR3103 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
SerieHEXFET®
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.55A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs19mOhm @ 33A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs50nC @ 4.5V
Vgs (Max)±16V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds1600pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)107W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketD-Pak
Paket / FallTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

FDD8876

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

15A (Ta), 73A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8.2mOhm @ 35A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

47nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1700pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

70W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

TO-252AA

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

CSD19535KTTT

Texas Instruments

Hersteller

Serie

NexFET™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

200A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.4mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

98nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

7930pF @ 50V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

300W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

DDPAK/TO-263-3

Paket / Fall

TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA

SUP50020EL-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

120A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.3mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

126nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

11113pF @ 30V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

375W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

Paket / Fall

TO-220-3

STL9N65M2

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

FET-Typ

-

Technologie

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

-

Paket / Fall

-

STP6N65M2

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

MDmesh™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

650V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.35Ohm @ 2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9.8nC @ 10V

Vgs (Max)

±25V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

226pF @ 100V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

60W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220

Paket / Fall

TO-220-3

Kürzlich verkauft

RJR26FW102R

RJR26FW102R

Bourns

TRIMMER 1K OHM 0.25W PC PIN TOP

2N3390

2N3390

ON Semiconductor

TRANS NPN 25V 0.5A TO-92

MAX3232CUE+T

MAX3232CUE+T

Maxim Integrated

IC TRANSCEIVER FULL 2/2 16TSSOP

SRP4020-2R2M

SRP4020-2R2M

Bourns

FIXED IND 2.2UH 3.9A 40 MOHM SMD

DG9414DQ-T1-E3

DG9414DQ-T1-E3

Vishay Siliconix

IC MULTIPLEXER DUAL 4X1 10MSOP

CMSH1-40 TR13

CMSH1-40 TR13

Central Semiconductor Corp

DIODE SCHOTTKY 40V 1A SMB

ADUC7026BSTZ62-RL

ADUC7026BSTZ62-RL

Analog Devices

IC MCU 32BIT 62KB FLASH 80LQFP

NLC453232T-150K-PF

NLC453232T-150K-PF

TDK

FIXED IND 15UH 450MA 700 MOHM

LTM4623IY#PBF

LTM4623IY#PBF

Linear Technology/Analog Devices

DC DC CONVERTER 0.6-5.5V 3A

STPS3L60S

STPS3L60S

STMicroelectronics

DIODE SCHOTTKY 60V 3A SMC

MAX3486ESA+T

MAX3486ESA+T

Maxim Integrated

IC TRANSCEIVER HALF 1/1 8SOIC

FMMT625TA

FMMT625TA

Diodes Incorporated

TRANS NPN 150V 1A SOT23-3