IRL80HS120
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| Teilenummer | IRL80HS120 |
| PNEDA Teilenummer | IRL80HS120 |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 80V 12.5A 6PQFN |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 34.614 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IRL80HS120 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IRL80HS120 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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IRL80HS120 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 12.5A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 32mOhm @ 7.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 10µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7nC @ 4.5V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 540pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 11.5W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | 6-PQFN (2x2) |
| Paket / Fall | 6-VDFN Exposed Pad |
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