IRL7486MTRPBF
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| Teilenummer | IRL7486MTRPBF |
| PNEDA Teilenummer | IRL7486MTRPBF |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 40V 209A |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.514 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IRL7486MTRPBF Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IRL7486MTRPBF |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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IRL7486MTRPBF Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | HEXFET®, StrongIRFET™ |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 209A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.25mOhm @ 123A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 150µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 111nC @ 4.5V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 6904pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 104W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | DirectFET™ Isometric ME |
| Paket / Fall | DirectFET™ Isometric ME |
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Hersteller Infineon Technologies Serie HEXFET® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 14A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.7V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 8mOhm @ 14A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 51nC @ 4.5V Vgs (Max) ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3150pF @ 15V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 2.5W (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket 8-SO Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
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