IRL40B212
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| Teilenummer | IRL40B212 |
| PNEDA Teilenummer | IRL40B212 |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 40V 195A |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 20.478 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IRL40B212 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IRL40B212 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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IRL40B212 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | HEXFET®, StrongIRFET™ |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 195A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.9mOhm @ 100A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 150µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 137nC @ 4.5V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 8320pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 231W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-220AB |
| Paket / Fall | TO-220-3 |
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Hersteller IXYS Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 1000V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 3A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) - Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.5Ohm @ 1.5A, 0V Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 37.5nC @ 5V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1020pF @ 25V FET-Funktion Depletion Mode Verlustleistung (max.) 125W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket TO-263 (IXTA) Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
