Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

IRL3502STRRPBF

IRL3502STRRPBF

Nur als Referenz

Teilenummer IRL3502STRRPBF
PNEDA Teilenummer IRL3502STRRPBF
Beschreibung MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK
Hersteller Infineon Technologies
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 4.896
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 29 - Feb 3 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IRL3502STRRPBF Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIRL3502STRRPBF
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
IRL3502STRRPBF, IRL3502STRRPBF Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 242,66 KB)
PDFIRL3502STRLPBF Datenblatt Cover
IRL3502STRLPBF Datenblatt Seite 2 IRL3502STRLPBF Datenblatt Seite 3 IRL3502STRLPBF Datenblatt Seite 4 IRL3502STRLPBF Datenblatt Seite 5 IRL3502STRLPBF Datenblatt Seite 6 IRL3502STRLPBF Datenblatt Seite 7 IRL3502STRLPBF Datenblatt Seite 8 IRL3502STRLPBF Datenblatt Seite 9

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • IRL3502STRRPBF Datasheet
  • where to find IRL3502STRRPBF
  • Infineon Technologies

  • Infineon Technologies IRL3502STRRPBF
  • IRL3502STRRPBF PDF Datasheet
  • IRL3502STRRPBF Stock

  • IRL3502STRRPBF Pinout
  • Datasheet IRL3502STRRPBF
  • IRL3502STRRPBF Supplier

  • Infineon Technologies Distributor
  • IRL3502STRRPBF Price
  • IRL3502STRRPBF Distributor

IRL3502STRRPBF Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
SerieHEXFET®
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.110A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 7V
Rds On (Max) @ Id, Vgs7mOhm @ 64A, 7V
Vgs (th) (Max) @ Id700mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs110nC @ 4.5V
Vgs (Max)±10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds4700pF @ 15V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)140W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketD2PAK
Paket / FallTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

AOTF25S65

Alpha & Omega Semiconductor

Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

aMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

650V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

25A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

190mOhm @ 12.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

26.4nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1278pF @ 100V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

50W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220-3F

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

GP2M012A060H

Global Power Technologies Group

Hersteller

Global Power Technologies Group

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

12A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

650mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

40nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1890pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

231W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220

Paket / Fall

TO-220-3

FCH25N60N

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

SupreMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

25A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

126mOhm @ 12.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

74nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3352pF @ 100V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

216W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

Paket / Fall

TO-247-3

SI7848BDP-T1-E3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

47A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9mOhm @ 16A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

50nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2000pF @ 20V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

4.2W (Ta), 36W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PowerPAK® SO-8

Paket / Fall

PowerPAK® SO-8

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

250V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

200mA (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

15Ohm @ 200mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.8V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

90pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1W (Ta)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Kürzlich verkauft

CY7C65632-28LTXC

CY7C65632-28LTXC

Cypress Semiconductor

IC USB HUB CTRLR 4PORT LP 28QFN

64900001039

64900001039

Littelfuse

FUSE BLOCK CART 250V 6.3A PCB

VESD05A1B-02V-G-08

VESD05A1B-02V-G-08

Vishay Semiconductor Diodes Division

TVS DIODE 5V 11V SOD523

0233004.MXP

0233004.MXP

Littelfuse

FUSE GLASS 4A 125VAC 5X20MM

STM8AL3LE88TCY

STM8AL3LE88TCY

STMicroelectronics

IC MCU 8BIT 64KB FLASH 48LQFP

ADM2587EBRWZ-REEL7

ADM2587EBRWZ-REEL7

Analog Devices

DGTL ISO RS422/RS485 20SOIC

ESD9L3.3ST5G

ESD9L3.3ST5G

ON Semiconductor

TVS DIODE 3.3V 9V SOD923

FDV303N

FDV303N

ON Semiconductor

MOSFET N-CH 25V 680MA SOT-23

B560CQ-13-F

B560CQ-13-F

Diodes Incorporated

DIODE SCHOTTKY 60V 5A SMC

SL16010DCT

SL16010DCT

Silicon Labs

IC CLOCK AMD GRAPHICS 10TDFN

LTC2802IDE#TRPBF

LTC2802IDE#TRPBF

Linear Technology/Analog Devices

IC TRANSCEIVER HALF 1/1 12DFN

USB3320C-EZK-TR

USB3320C-EZK-TR

Microchip Technology

IC TRANSCEIVER HALF 1/1 32QFN