IRL3502L
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| Teilenummer | IRL3502L |
| PNEDA Teilenummer | IRL3502L |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 20V 110A TO-262 |
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.806 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IRL3502L Ressourcen
| Marke | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IRL3502L |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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IRL3502L Technische Daten
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 110A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 7V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7mOhm @ 64A, 7V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 700mV @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 110nC @ 4.5V |
| Vgs (Max) | ±10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4700pF @ 15V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 140W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-262-3 |
| Paket / Fall | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
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Hersteller Rohm Semiconductor Serie Automotive, AEC-Q101 FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 3.5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 800pF @ 10V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 1W (Ta) Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket TUMT6 Paket / Fall 6-SMD, Flat Leads |
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