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IRL1004SPBF

IRL1004SPBF

Nur als Referenz

Teilenummer IRL1004SPBF
PNEDA Teilenummer IRL1004SPBF
Beschreibung MOSFET N-CH 40V 130A D2PAK
Hersteller Infineon Technologies
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IRL1004SPBF Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIRL1004SPBF
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single

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IRL1004SPBF Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
SerieHEXFET®
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)40V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.130A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs6.5mOhm @ 78A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs100nC @ 4.5V
Vgs (Max)±16V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds5330pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)3.8W (Ta), 200W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketD2PAK
Paket / FallTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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IPA65R150CFDXKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

650V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

22.4A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

150mOhm @ 9.3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

86nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2340pF @ 100V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

34.7W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

PG-TO220 Full Pack

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

SI3446ADV-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

37mOhm @ 5.8A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.8V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 10V

Vgs (Max)

±12V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

640pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2W (Ta), 3.2W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

6-TSOP

Paket / Fall

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

CSD18534Q5AT

Texas Instruments

Hersteller

Serie

NexFET™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

50A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9.8mOhm @ 14A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11.1nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1770pF @ 30V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3.1W (Ta), 77W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-VSONP (5x6)

Paket / Fall

8-PowerTDFN

ZVP3310FTA

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

75mA (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

20Ohm @ 150mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

50pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

330mW (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SOT-23-3

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

SPP100N03S2L-03

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

100A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3mOhm @ 80A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

220nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

8180pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

300W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

PG-TO220-3-1

Paket / Fall

TO-220-3

Kürzlich verkauft

0501010.WR

0501010.WR

Littelfuse

FUSE BOARD MOUNT 10A 32VDC 1206

LTC3774EUHE#PBF

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Linear Technology/Analog Devices

IC REG CTRLR BUCK 36QFN

WSL20103L000FEA

WSL20103L000FEA

Vishay Dale

RES 0.003 OHM 1% 1/2W 2010

MAX3078EESA+T

MAX3078EESA+T

Maxim Integrated

IC TRANSCEIVER HALF 1/1 8SOIC

LTC2950ITS8-1#TRMPBF

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ON Semiconductor

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ON Semiconductor

TVS DIODE 24V 44V SOT23-3

BSS138

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MICROSS/On Semiconductor

MOSFET N-CH 50V 220MA DIE

74FCT3807SOGI

74FCT3807SOGI

IDT, Integrated Device Technology

IC CLK BUFFER 1:10 100MHZ 20SOIC

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11R472C

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FIXED IND 4.7UH 1.3A 90 MOHM TH