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IRKJ56/12A

IRKJ56/12A

Nur als Referenz

Teilenummer IRKJ56/12A
PNEDA Teilenummer IRKJ56-12A
Beschreibung DIODE MODULE 1.2KV 60A ADD-A-PAK
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division
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Auf Lager 5.832
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IRKJ56/12A Ressourcen

Marke Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIRKJ56/12A
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Arrays
Datenblatt
IRKJ56/12A, IRKJ56/12A Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 173,02 KB)
PDFIRKJ71/16A Datenblatt Cover
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IRKJ56/12A Technische Daten

HerstellerVishay Semiconductor Diodes Division
Serie-
Diodenkonfiguration1 Pair Common Anode
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)1200V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)60A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If-
GeschwindigkeitStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)-
Strom - Umkehrleckage @ Vr10mA @ 1200V
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-
MontagetypChassis Mount
Paket / FallADD-A-PAK (3)
LieferantengerätepaketADD-A-PAK®

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Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

200V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

16A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.25V @ 16A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

25ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

30µA @ 200V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

150°C (Max)

Montagetyp

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Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

400V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

4A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.4V @ 4A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

45ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 400V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 150°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220-3

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GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Diodenkonfiguration

1 Pair Common Anode

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

200V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

400A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

920mV @ 400A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5mA @ 200V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

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Infineon Technologies

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Diodenkonfiguration

1 Pair Common Anode

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

80V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

200mA (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.25V @ 150mA

Geschwindigkeit

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Reverse Recovery Time (trr)

4ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

150nA @ 70V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

150°C (Max)

Montagetyp

Surface Mount

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Diodes Incorporated

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Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

40V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

10A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

550mV @ 5A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

500µA @ 40V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 150°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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