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IRKH57/12A

IRKH57/12A

Nur als Referenz

Teilenummer IRKH57/12A
PNEDA Teilenummer IRKH57-12A
Beschreibung SCR MOD PWR 1200V 55A ADD-A-PAK
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division
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Auf Lager 8.892
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Apr 12 - Apr 17 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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IRKH57/12A Ressourcen

Marke Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIRKH57/12A
KategorieHalbleiterThyristorenThyristoren - SCRs - Module
Datenblatt
IRKH57/12A, IRKH57/12A Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 230,22 KB)
PDFIRKT57/16A Datenblatt Cover
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IRKH57/12A Technische Daten

HerstellerVishay Semiconductor Diodes Division
Serie-
StrukturSeries Connection - SCR/Diode
Anzahl der SCRs, Dioden1 SCR, 1 Diode
Spannung - Aus Zustand1.2kV
Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)60A
Current - On State (It (RMS)) (max.)135A
Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)2.5V
Current - Gate Trigger (Igt) (Max)150mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)1310A, 1370A
Current - Hold (Ih) (Max)200mA
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / FallADD-A-PAK (3 + 2)

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Struktur

Single

Anzahl der SCRs, Dioden

1 SCR

Spannung - Aus Zustand

1.6kV

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

860A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

1500A

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

2V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

250mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

-

Current - Hold (Ih) (Max)

500mA

Betriebstemperatur

125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

Module

VS-P121

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Struktur

Bridge, Single Phase - SCRs/Diodes (Layout 3)

Anzahl der SCRs, Dioden

2 SCRs, 2 Diodes

Spannung - Aus Zustand

400V

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

-

Current - On State (It (RMS)) (max.)

-

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

2V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

60mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

357A, 375A

Current - Hold (Ih) (Max)

130mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

8-PACE-PAK

VSKL250-16D25

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Struktur

Series Connection - SCR/Diode

Anzahl der SCRs, Dioden

1 SCR, 1 Diode

Spannung - Aus Zustand

1.6kV

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

250A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

555A

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

3V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

200mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

8500A, 8900A

Current - Hold (Ih) (Max)

500mA

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

3-MAGN-A-PAK™

VS-VSKN71/10

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Struktur

Series Connection - SCR/Diode

Anzahl der SCRs, Dioden

1 SCR, 1 Diode

Spannung - Aus Zustand

1kV

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

75A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

165A

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

2.5V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

150mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

1300A, 1360A

Current - Hold (Ih) (Max)

250mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

ADD-A-PAK (3 + 4)

T580N02TOFXPSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Struktur

Single

Anzahl der SCRs, Dioden

1 SCR

Spannung - Aus Zustand

600V

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

568A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

800A

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

1.4V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

150mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

6300A @ 50Hz

Current - Hold (Ih) (Max)

200mA

Betriebstemperatur

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Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

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