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IRGP4650D-EPBF

IRGP4650D-EPBF

Nur als Referenz

Teilenummer IRGP4650D-EPBF
PNEDA Teilenummer IRGP4650D-EPBF
Beschreibung IGBT 600V 76A 268W TO247AD
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 8.478
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IRGP4650D-EPBF Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIRGP4650D-EPBF
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single

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IRGP4650D-EPBF Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)76A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)105A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.9V @ 15V, 35A
Leistung - max268W
Schaltenergie390µJ (on), 632µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge104nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.46ns/105ns
Testbedingung400V, 35A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)120ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247AD

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Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

300V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

150A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Leistung - max

-

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

TO-263 (IXGA)

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFAST™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

300A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 40A

Leistung - max

200W

Schaltenergie

380µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

138nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

18ns/115ns

Testbedingung

480V, 40A, 2Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

ISOPLUS247™

Lieferantengerätepaket

ISOPLUS247™

IXEL40N400

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

4000V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

90A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

400A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 40A

Leistung - max

380W

Schaltenergie

55mJ (on), 165mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

275nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

160ns/630ns

Testbedingung

2800V, 40A, 33Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

ISOPLUSi5-Pak™

Lieferantengerätepaket

ISOPLUSi5-Pak™

NGTB20N135IHRWG

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1350V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.65V @ 15V, 20A

Leistung - max

394W

Schaltenergie

600µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

234nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-/245ns

Testbedingung

600V, 20A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247

APT35GN120BG

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

NPT, Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

94A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

105A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 35A

Leistung - max

379W

Schaltenergie

2.315mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

220nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

24ns/300ns

Testbedingung

800V, 35A, 2.2Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

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