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IRGI4056DPBF

IRGI4056DPBF

Nur als Referenz

Teilenummer IRGI4056DPBF
PNEDA Teilenummer IRGI4056DPBF
Beschreibung IGBT 600V 18A 34W TO220FP
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 4.554
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IRGI4056DPBF Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIRGI4056DPBF
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IRGI4056DPBF, IRGI4056DPBF Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 415,43 KB)
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IRGI4056DPBF Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
IGBT-TypTrench
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)18A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)27A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.65V @ 15V, 9A
Leistung - max34W
Schaltenergie59µJ (on), 177µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge25nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.34ns/84ns
Testbedingung400V, 9A, 22Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)72ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-220-3 Full Pack
LieferantengerätepaketTO-220AB Full-Pak

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

PowerMESH™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

220A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 30A

Leistung - max

250W

Schaltenergie

333µJ (on), 537µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

126nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

33ns/178ns

Testbedingung

390V, 30A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

45ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

STGW50H60DF

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 50A

Leistung - max

360W

Schaltenergie

890µJ (on), 860µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

217nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

62ns/178ns

Testbedingung

400V, 50A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

55ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247

RJH60A83RDPN-E0#T2

Renesas Electronics America

Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Leistung - max

-

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

150ns

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFAST™, Lightspeed 2™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

500A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 100A

Leistung - max

830W

Schaltenergie

1.7mJ (on), 1mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

370nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

40ns/120ns

Testbedingung

400V, 80A, 1Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-264-3, TO-264AA

Lieferantengerätepaket

TO-264 (IXGK)

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

90A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 35A

Leistung - max

400W

Schaltenergie

2.3mJ (on), 1.6mJ (off)

Eingabetyp

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Gate Charge

300nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

90ns/340ns

Testbedingung

600V, 35A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

130ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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