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IRG5U75HH12E

IRG5U75HH12E

Nur als Referenz

Teilenummer IRG5U75HH12E
PNEDA Teilenummer IRG5U75HH12E
Beschreibung MOD IGBT 1200V 75A POWIR ECO 2
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 7.074
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 16 - Nov 21 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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IRG5U75HH12E Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIRG5U75HH12E
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Module
Datenblatt
IRG5U75HH12E, IRG5U75HH12E Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 802,79 KB)
PDFIRG5U75HH12E Datenblatt Cover
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IRG5U75HH12E Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
IGBT-Typ-
KonfigurationFull Bridge Inverter
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)130A
Leistung - max540W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3.5V @ 15V, 75A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)1mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce9.5nF @ 25V
EingabeStandard
NTC-ThermistorYes
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / FallPOWIR ECO 2™ Module
LieferantengerätepaketPOWIR ECO 2™

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Hersteller

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Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100A

Leistung - max

250W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 100A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

6nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

SP3F

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

480A

Leistung - max

1200W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 300A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

2mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

18.8nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

POWIR® 62 Module

Lieferantengerätepaket

POWIR® 62

FZ1200R33KF2CNOSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Full Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

3300V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

2000A

Leistung - max

14500W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

4.25V @ 15V, 1200A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

12mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

150nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

FS215R04A1E3DBOMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

*

IGBT-Typ

-

Konfiguration

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Leistung - max

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

-

Eingabe

-

NTC-Thermistor

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

220A

Leistung - max

833W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 180A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

300µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

8.6nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

SP4

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