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IRG5U75HH12E

IRG5U75HH12E

Nur als Referenz

Teilenummer IRG5U75HH12E
PNEDA Teilenummer IRG5U75HH12E
Beschreibung MOD IGBT 1200V 75A POWIR ECO 2
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 7.074
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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IRG5U75HH12E Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIRG5U75HH12E
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Module
Datenblatt
IRG5U75HH12E, IRG5U75HH12E Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 802,79 KB)
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  • IRG5U75HH12E Distributor

IRG5U75HH12E Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
IGBT-Typ-
KonfigurationFull Bridge Inverter
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)130A
Leistung - max540W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3.5V @ 15V, 75A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)1mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce9.5nF @ 25V
EingabeStandard
NTC-ThermistorYes
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / FallPOWIR ECO 2™ Module
LieferantengerätepaketPOWIR ECO 2™

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Full Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

3300V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

2000A

Leistung - max

14500W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

4.25V @ 15V, 1200A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

12mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

150nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

CM200DY-12NF

Powerex Inc.

Hersteller

Powerex Inc.

Serie

IGBTMOD™

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

200A

Leistung - max

650W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 200A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

30nF @ 10V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

FZ1800R12HP4B9HOSA2

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Konfiguration

Single Switch

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

2700A

Leistung - max

10500W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.05V @ 15V, 1800A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

5mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

110nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

APTGTQ100H65T3G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Full Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100A

Leistung - max

250W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 100A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

6nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

SP3F

APTGT200DA60TG

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

290A

Leistung - max

625W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 200A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

250µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

12.3nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

SP4

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