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IRG4RC10UTR

IRG4RC10UTR

Nur als Referenz

Teilenummer IRG4RC10UTR
PNEDA Teilenummer IRG4RC10UTR
Beschreibung IGBT 600V 8.5A 38W DPAK
Hersteller Infineon Technologies
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IRG4RC10UTR Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIRG4RC10UTR
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IRG4RC10UTR, IRG4RC10UTR Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 136,69 KB)
PDFIRG4RC10UTRR Datenblatt Cover
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IRG4RC10UTR Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)8.5A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)34A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.6V @ 15V, 5A
Leistung - max38W
Schaltenergie80µJ (on), 160µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge15nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.19ns/116ns
Testbedingung480V, 5A, 100Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
LieferantengerätepaketD-Pak

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Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1700V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

6A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

14A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

7V @ 15V, 3A

Leistung - max

75W

Schaltenergie

590µJ (on), 180µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

18.5nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

46ns/220ns

Testbedingung

850V, 6A, 33Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXGH)

SGS6N60UFTU

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

6A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

25A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 3A

Leistung - max

22W

Schaltenergie

57µJ (on), 25µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

15nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

15ns/60ns

Testbedingung

300V, 3A, 80Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

Lieferantengerätepaket

TO-220F

AOTF15B60D

Alpha & Omega Semiconductor

Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

Alpha IGBT™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

60A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 15A

Leistung - max

50W

Schaltenergie

420µJ (on), 110µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

25.4nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

21ns/73ns

Testbedingung

400V, 15A, 20Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

196ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

Lieferantengerätepaket

TO-220-3F

FIO50-12BD

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 30A

Leistung - max

200W

Schaltenergie

4.6mJ (on), 2.2mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

150nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

600V, 30A, 39Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

150ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

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IGBT-Typ

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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

8A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

12A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.05V @ 15V, 4A

Leistung - max

42W

Schaltenergie

143µJ

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

27nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

14ns/164ns

Testbedingung

400V, 4A, 47Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

28ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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