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IRG4BC30KD-SPBF

IRG4BC30KD-SPBF

Nur als Referenz

Teilenummer IRG4BC30KD-SPBF
PNEDA Teilenummer IRG4BC30KD-SPBF
Beschreibung IGBT 600V 28A 100W D2PAK
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 17.454
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IRG4BC30KD-SPBF Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIRG4BC30KD-SPBF
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single

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IRG4BC30KD-SPBF Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)28A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)56A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.7V @ 15V, 16A
Leistung - max100W
Schaltenergie600µJ (on), 580µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge67nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.60ns/160ns
Testbedingung480V, 16A, 23Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)42ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
LieferantengerätepaketD2PAK

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Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFAST™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

100A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 12A

Leistung - max

150W

Schaltenergie

160µJ (on), 90µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

25nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

16ns/75ns

Testbedingung

400V, 12A, 22Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

30ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

IKY75N120CH3XKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

150A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

300A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.35V @ 15V, 75A

Leistung - max

938W

Schaltenergie

3.4mJ (on), 2.9mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

370nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

38ns/303ns

Testbedingung

600V, 75A, 6Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

292ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-4

Lieferantengerätepaket

PG-TO247-4

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFAST™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

70A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

150A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 24A

Leistung - max

190W

Schaltenergie

190µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

70nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

13ns/70ns

Testbedingung

400V, 24A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

25ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXGH)

FGH40N60UFTU

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 40A

Leistung - max

290W

Schaltenergie

1.19mJ (on), 460µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

120nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

24ns/112ns

Testbedingung

400V, 40A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

IRG4BC30KDSTRRP

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

28A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

56A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 16A

Leistung - max

100W

Schaltenergie

600µJ (on), 580µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

67nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

60ns/160ns

Testbedingung

480V, 16A, 23Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

42ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

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TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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D2PAK

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