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IRG4BC20FD-STRR

IRG4BC20FD-STRR

Nur als Referenz

Teilenummer IRG4BC20FD-STRR
PNEDA Teilenummer IRG4BC20FD-STRR
Beschreibung IGBT 600V 16A 60W D2PAK
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 7.866
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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IRG4BC20FD-STRR Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIRG4BC20FD-STRR
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IRG4BC20FD-STRR, IRG4BC20FD-STRR Datenblatt (Total Pages: 11, Größe: 225,22 KB)
PDFIRG4BC20FD-STRR Datenblatt Cover
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IRG4BC20FD-STRR Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)16A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)64A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2V @ 15V, 9A
Leistung - max60W
Schaltenergie250µJ (on), 640µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge27nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.43ns/240ns
Testbedingung480V, 9A, 50Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)37ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
LieferantengerätepaketD2PAK

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IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

234A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

600A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.35V @ 15V, 110A

Leistung - max

880W

Schaltenergie

2.3mJ (on), 600µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

180nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

35ns/143ns

Testbedingung

400V, 55A, 2Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247 (IXXH)

STGWT80V60F

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

120A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

240A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 80A

Leistung - max

469W

Schaltenergie

1.8mJ (on), 1mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

448nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

60ns/220ns

Testbedingung

400V, 80A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3P-3, SC-65-3

Lieferantengerätepaket

TO-3P

TIG056BF

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

430V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

240A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

5V @ 15V, 240A

Leistung - max

30W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

46ns/140ns

Testbedingung

320V, 240A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

Lieferantengerätepaket

TO-220FI(LS)

APT27GA90BD15

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

900V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

48A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

79A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.1V @ 15V, 14A

Leistung - max

223W

Schaltenergie

413µJ (on), 287µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

62nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

9ns/98ns

Testbedingung

600V, 14A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247 [B]

SIGC57T120R3LEX1SA3

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

150A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 50A

Leistung - max

-

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

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