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IRFZ44VS

IRFZ44VS

Nur als Referenz

Teilenummer IRFZ44VS
PNEDA Teilenummer IRFZ44VS
Beschreibung MOSFET N-CH 60V 55A D2PAK
Hersteller Infineon Technologies
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Lager Shipped from Hong Kong SAR
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IRFZ44VS Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIRFZ44VS
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
IRFZ44VS, IRFZ44VS Datenblatt (Total Pages: 11, Größe: 147,91 KB)
PDFIRFZ44VSTRR Datenblatt Cover
IRFZ44VSTRR Datenblatt Seite 2 IRFZ44VSTRR Datenblatt Seite 3 IRFZ44VSTRR Datenblatt Seite 4 IRFZ44VSTRR Datenblatt Seite 5 IRFZ44VSTRR Datenblatt Seite 6 IRFZ44VSTRR Datenblatt Seite 7 IRFZ44VSTRR Datenblatt Seite 8 IRFZ44VSTRR Datenblatt Seite 9 IRFZ44VSTRR Datenblatt Seite 10 IRFZ44VSTRR Datenblatt Seite 11

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IRFZ44VS Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
SerieHEXFET®
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.55A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs16.5mOhm @ 31A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs67nC @ 10V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds1812pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)115W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketD2PAK
Paket / FallTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET® Gen IV

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

80V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

100A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

7.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.9mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

81nC @ 7.5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

5150pF @ 40V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

104W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PowerPAK® SO-8

Paket / Fall

PowerPAK® SO-8

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

TrenchMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

200V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

17.5A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

85mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

40nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2170pF @ 30V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

62.5W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-HVSON (6x5)

Paket / Fall

8-VDFN Exposed Pad

AON7220

Alpha & Omega Semiconductor

Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

25V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

37A (Ta), 50A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.8V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

52nC @ 10V

Vgs (Max)

±12V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3554pF @ 12.5V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

6.2W (Ta), 83W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-DFN-EP (3.3x3.3)

Paket / Fall

8-PowerWDFN

GP1M003A050CG

Global Power Technologies Group

Hersteller

Global Power Technologies Group

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

500V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2.5A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.8Ohm @ 1.25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9.2nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

395pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

52W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D-Pak

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Hersteller

IXYS

Serie

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FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

200A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

11mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 3mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

540nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

23000pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1040W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

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