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IRFU220PBF

IRFU220PBF

Nur als Referenz

Teilenummer IRFU220PBF
PNEDA Teilenummer IRFU220PBF
Beschreibung MOSFET N-CH 200V 4.8A I-PAK
Hersteller Vishay Siliconix
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IRFU220PBF Ressourcen

Marke Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIRFU220PBF
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
IRFU220PBF, IRFU220PBF Datenblatt (Total Pages: 11, Größe: 791,02 KB)
PDFIRFR220PBF Datenblatt Cover
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IRFU220PBF Technische Daten

HerstellerVishay Siliconix
Serie-
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)200V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.4.8A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs800mOhm @ 2.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs14nC @ 10V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds260pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)2.5W (Ta), 42W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
LieferantengerätepaketTO-251AA
Paket / FallTO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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IXFH75N10Q

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFET™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

75A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

20mOhm @ 37.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 4mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

180nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3700pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

300W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXFH)

Paket / Fall

TO-247-3

SI7110DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

13.5A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.3mOhm @ 21.1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

21nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.5W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PowerPAK® 1212-8

Paket / Fall

PowerPAK® 1212-8

BUK9M9R1-40EX

Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

64A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.3mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.1V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

16.2nC @ 5V

Vgs (Max)

±10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2048pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

75W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

LFPAK33

Paket / Fall

SOT-1210, 8-LFPAK33

IPB65R045C7ATMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™ C7

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

650V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

46A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

45mOhm @ 24.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1.25mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

93nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4340pF @ 400V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

227W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D²PAK (TO-263AB)

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

FQD13N10TM

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

QFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

10A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

180mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

16nC @ 10V

Vgs (Max)

±25V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

450pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.5W (Ta), 40W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D-Pak

Paket / Fall

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