IRFSL4115PBF
Nur als Referenz
Teilenummer | IRFSL4115PBF |
PNEDA Teilenummer | IRFSL4115PBF |
Beschreibung | MOSFET N-CH 150V 195A TO262 |
Hersteller | Infineon Technologies |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 5.184 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
Voraussichtliche Lieferung | Nov 17 - Nov 22 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * |
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
IRFSL4115PBF Ressourcen
Marke | Infineon Technologies |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | IRFSL4115PBF |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.
Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:
Schnelle Reaktionsfähigkeit
Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.
Garantierte Qualität
Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.
Globaler Zugriff
Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.
Hot search vocabulary
- IRFSL4115PBF Datasheet
- where to find IRFSL4115PBF
- Infineon Technologies
- Infineon Technologies IRFSL4115PBF
- IRFSL4115PBF PDF Datasheet
- IRFSL4115PBF Stock
- IRFSL4115PBF Pinout
- Datasheet IRFSL4115PBF
- IRFSL4115PBF Supplier
- Infineon Technologies Distributor
- IRFSL4115PBF Price
- IRFSL4115PBF Distributor
IRFSL4115PBF Technische Daten
Hersteller | Infineon Technologies |
Serie | HEXFET® |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 150V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 195A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12.1mOhm @ 62A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 120nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 5270pF @ 50V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 375W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Montagetyp | Through Hole |
Lieferantengerätepaket | TO-262 |
Paket / Fall | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
IXYS Hersteller IXYS Serie HiPerFET™, Polar3™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 20A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 300mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 1.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 36nC @ 10V Vgs (Max) ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1800pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 380W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-3P Paket / Fall TO-3P-3, SC-65-3 |
Microsemi Hersteller Microsemi Corporation Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 317A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 6mOhm @ 158.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 10mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 448nC @ 10V Vgs (Max) ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 27400pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 1136W (Tc) Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Lieferantengerätepaket SP6 Paket / Fall SP6 |
Texas Instruments Hersteller Serie NexFET™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 159A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.5mOhm @ 24A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 2.45V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 63nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5850pF @ 10V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 104W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket 8-VSONP (5x6) Paket / Fall 8-PowerTDFN |
IXYS Hersteller IXYS Serie - FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 24A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 110mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 150nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4200pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 300W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket TO-268 Paket / Fall TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
Vishay Siliconix Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 3.8A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 54mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 1.14W (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket 6-TSOP Paket / Fall SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |