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IRFS52N15DTRLP

IRFS52N15DTRLP

Nur als Referenz

Teilenummer IRFS52N15DTRLP
PNEDA Teilenummer IRFS52N15DTRLP
Beschreibung MOSFET N-CH 150V 51A D2PAK
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 6.858
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Feb 17 - Feb 22 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IRFS52N15DTRLP Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIRFS52N15DTRLP
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single

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IRFS52N15DTRLP Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
SerieHEXFET®
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)150V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.51A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs32mOhm @ 36A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs89nC @ 10V
Vgs (Max)±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds2770pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)3.8W (Ta), 230W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketD2PAK
Paket / FallTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

TrenchMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

21.2A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.7mOhm @ 14A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

64nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2985pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

6.25W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-SO

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

100A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.6mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

141nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

8061pF @ 50V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

306W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

Paket / Fall

TO-220-3

AO3415L_108

Alpha & Omega Semiconductor

Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

43mOhm @ 4A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17.2nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1450pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.4W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SOT-23-3

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

DMT3003LFGQ-7

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

*

FET-Typ

-

Technologie

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Lieferantengerätepaket

-

Paket / Fall

-

FDP75N08

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

UniFET™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

75V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

75A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

11mOhm @ 37.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

104nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4468pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

131W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220-3

Paket / Fall

TO-220-3

Kürzlich verkauft

BZX84C3V3

BZX84C3V3

ON Semiconductor

DIODE ZENER 3.3V 350MW SOT23-3

MC9S08LL8CLF

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NXP

IC MCU 8BIT 10KB FLASH 48LQFP

LC4064V-75TN100C

LC4064V-75TN100C

Lattice Semiconductor Corporation

IC CPLD 64MC 7.5NS 100TQFP

BLM18SG121TN1D

BLM18SG121TN1D

Murata

FERRITE BEAD 120 OHM 0603 1LN

ADP2107ACPZ-1.2-R7

ADP2107ACPZ-1.2-R7

Analog Devices

IC REG BUCK 1.2V 2A 16LFCSP

PMBT3904VS,115

PMBT3904VS,115

Nexperia

TRANS 2NPN 40V 0.2A SOT666

BLM31PG500SN1L

BLM31PG500SN1L

Murata

FERRITE BEAD 50 OHM 1206 1LN

IHLP2525CZER220M5A

IHLP2525CZER220M5A

Vishay Dale

FIXED IND 22UH 2.8A 174 MOHM SMD

M74HC42B1R

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STMicroelectronics

IC DECODER BCD TO DECIMAL 16-DIP

ABM8-24.000MHZ-D2-T

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Abracon

CRYSTAL 24.0000MHZ 18PF SMD

SE5534AN

SE5534AN

ON Semiconductor

IC OPAMP GP 1 CIRCUIT 8DIP

MAX1104EUA+

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IC CODEC 8BIT 8-UMAX