IRFS4310TRLPBF
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| Teilenummer | IRFS4310TRLPBF |
| PNEDA Teilenummer | IRFS4310TRLPBF |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 100V 130A D2PAK |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 17.904 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IRFS4310TRLPBF Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IRFS4310TRLPBF |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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IRFS4310TRLPBF Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | HEXFET® |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 130A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7mOhm @ 75A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 250nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 7670pF @ 50V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 300W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | D2PAK |
| Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 17A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.2mOhm @ 44A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 65nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4500pF @ 50V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 125W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket 8-PQFN (5x6) Paket / Fall 8-PowerTDFN |
Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 11A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.25mOhm @ 24A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40nC @ 4.5V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2700pF @ 24V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 900mW (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Paket / Fall 8-PowerTDFN, 5 Leads |
Hersteller IXYS Serie TrenchT2™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 300A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.5mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 145nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 10700pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 480W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-247 (IXTH) Paket / Fall TO-247-3 |
Hersteller Infineon Technologies Serie SIPMOS® FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 1.9A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 300mOhm @ 1.9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 410pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 1.8W (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket PG-SOT223-4 Paket / Fall TO-261-4, TO-261AA |
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