IRFR3711ZTRLPBF
Nur als Referenz
| Teilenummer | IRFR3711ZTRLPBF |
| PNEDA Teilenummer | IRFR3711ZTRLPBF |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 20V 93A DPAK |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.968 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Apr 20 - Apr 25 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
| Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
IRFR3711ZTRLPBF Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Artikelnummer | IRFR3711ZTRLPBF |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.
Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:
Schnelle Reaktionsfähigkeit
Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.
Garantierte Qualität
Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.
Globaler Zugriff
Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.
Hot search vocabulary
- IRFR3711ZTRLPBF Datasheet
- where to find IRFR3711ZTRLPBF
- Infineon Technologies
- Infineon Technologies IRFR3711ZTRLPBF
- IRFR3711ZTRLPBF PDF Datasheet
- IRFR3711ZTRLPBF Stock
- IRFR3711ZTRLPBF Pinout
- Datasheet IRFR3711ZTRLPBF
- IRFR3711ZTRLPBF Supplier
- Infineon Technologies Distributor
- IRFR3711ZTRLPBF Price
- IRFR3711ZTRLPBF Distributor
IRFR3711ZTRLPBF Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | HEXFET® |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 93A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.7mOhm @ 15A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.45V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 27nC @ 4.5V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2160pF @ 10V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 79W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | D-Pak |
| Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
|
Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 36A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.2mOhm @ 14A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 160nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4600pF @ 50V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 18.8W (Ta), 125W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket TO-263 (D2Pak) Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 50V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 75A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.5mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 100nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3900pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 2.5W (Ta), 125W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket D2PAK Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Hersteller Microchip Technology Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 500mA (Tj) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 3V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5Ohm @ 750mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 150pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 1W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-92-3 Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
Hersteller Microsemi Corporation Serie POWER MOS V® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 400V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 37A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 120mOhm @ 18.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 290nC @ 10V Vgs (Max) ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5400pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 370W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-247AD Paket / Fall TO-247-3 |
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie - FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 21A (Ta), 85A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.1mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 196nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 9120pF @ 15V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 2.3W (Ta), 83W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket 8-DFN-EP (5x6) Paket / Fall 8-PowerVDFN |
