Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

IRFR3103TR

IRFR3103TR

Nur als Referenz

Teilenummer IRFR3103TR
PNEDA Teilenummer IRFR3103TR
Beschreibung MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK
Hersteller Infineon Technologies
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 6.444
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Apr 7 - Apr 12 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IRFR3103TR Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIRFR3103TR
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
IRFR3103TR, IRFR3103TR Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 173,79 KB)
PDFIRFR3103TRR Datenblatt Cover
IRFR3103TRR Datenblatt Seite 2 IRFR3103TRR Datenblatt Seite 3 IRFR3103TRR Datenblatt Seite 4 IRFR3103TRR Datenblatt Seite 5 IRFR3103TRR Datenblatt Seite 6

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • IRFR3103TR Datasheet
  • where to find IRFR3103TR
  • Infineon Technologies

  • Infineon Technologies IRFR3103TR
  • IRFR3103TR PDF Datasheet
  • IRFR3103TR Stock

  • IRFR3103TR Pinout
  • Datasheet IRFR3103TR
  • IRFR3103TR Supplier

  • Infineon Technologies Distributor
  • IRFR3103TR Price
  • IRFR3103TR Distributor

IRFR3103TR Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
SerieHEXFET®
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)400V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.1.7A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.6Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs12nC @ 10V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds170pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)2.5W (Ta), 25W (Tc)
Betriebstemperatur-
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketD-Pak
Paket / FallTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

NVMFS6H800NWFT1G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

80V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

28A (Ta), 203A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.1mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 330µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

85nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

5530pF @ 40V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3.8W (Ta), 200W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

5-DFN (5x6) (8-SOFL)

Paket / Fall

8-PowerTDFN, 5 Leads

SPD30N06S2-23

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

55V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

30A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

23mOhm @ 21A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 50µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

32nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1250pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

P-TO252-3

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

FQA8N80C

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

QFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

800V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

8.4A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.55Ohm @ 4.2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

45nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2050pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

220W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-3P

Paket / Fall

TO-3P-3, SC-65-3

DMP21D6UFB4-7B

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

580mA (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1Ohm @ 100mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.8nC @ 8V

Vgs (Max)

±8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

46.1pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

510mW (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

X2-DFN1006-3

Paket / Fall

3-XFDFN

IRFS3307ZTRLPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

75V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

120A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.8mOhm @ 75A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 150µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

110nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4750pF @ 50V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

230W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D2PAK

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Kürzlich verkauft

ADA4940-2ACPZ-R7

ADA4940-2ACPZ-R7

Analog Devices

IC OPAMP DIFF 2 CIRCUIT 24LFCSP

595D336X0035R2T

595D336X0035R2T

Vishay Sprague

CAP TANT 33UF 20% 35V 2824

MAX3232ESE+T

MAX3232ESE+T

Maxim Integrated

IC TRANSCEIVER FULL 2/2 16SO

LTM4630AEY#PBF

LTM4630AEY#PBF

Linear Technology/Analog Devices

DC DC CONVERTER 0.6-5.3V

MC9S08LC36LK

MC9S08LC36LK

NXP

IC MCU 8BIT 36KB FLASH 80FQFP

NL17SZ08XV5T2G

NL17SZ08XV5T2G

ON Semiconductor

IC GATE AND 1CH 2-INP SOT553

LTST-C171GKT

LTST-C171GKT

Lite-On Inc.

LED GREEN CLEAR CHIP SMD

KSH3055TF

KSH3055TF

ON Semiconductor

TRANS NPN 60V 10A DPAK

ADG1334BRSZ

ADG1334BRSZ

Analog Devices

IC SWITCH QUAD SPDT 20SSOP

BLM15AG221SN1D

BLM15AG221SN1D

Murata

FERRITE BEAD 220 OHM 0402 1LN

LTST-C191GKT

LTST-C191GKT

Lite-On Inc.

LED GREEN CLEAR CHIP SMD

TAJC107M016RNJ

TAJC107M016RNJ

CAP TANT 100UF 20% 16V 2312