Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

IRFR2905ZTR

IRFR2905ZTR

Nur als Referenz

Teilenummer IRFR2905ZTR
PNEDA Teilenummer IRFR2905ZTR
Beschreibung MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Hersteller Infineon Technologies
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 3.276
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 6 - Jan 11 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IRFR2905ZTR Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIRFR2905ZTR
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
IRFR2905ZTR, IRFR2905ZTR Datenblatt (Total Pages: 12, Größe: 215,43 KB)
PDFIRFU2905Z Datenblatt Cover
IRFU2905Z Datenblatt Seite 2 IRFU2905Z Datenblatt Seite 3 IRFU2905Z Datenblatt Seite 4 IRFU2905Z Datenblatt Seite 5 IRFU2905Z Datenblatt Seite 6 IRFU2905Z Datenblatt Seite 7 IRFU2905Z Datenblatt Seite 8 IRFU2905Z Datenblatt Seite 9 IRFU2905Z Datenblatt Seite 10 IRFU2905Z Datenblatt Seite 11

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • IRFR2905ZTR Datasheet
  • where to find IRFR2905ZTR
  • Infineon Technologies

  • Infineon Technologies IRFR2905ZTR
  • IRFR2905ZTR PDF Datasheet
  • IRFR2905ZTR Stock

  • IRFR2905ZTR Pinout
  • Datasheet IRFR2905ZTR
  • IRFR2905ZTR Supplier

  • Infineon Technologies Distributor
  • IRFR2905ZTR Price
  • IRFR2905ZTR Distributor

IRFR2905ZTR Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
SerieHEXFET®
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)55V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.42A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs14.5mOhm @ 36A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs44nC @ 10V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds1380pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)110W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketD-Pak
Paket / FallTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

SI7611DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

18A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

25mOhm @ 9.3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

62nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1980pF @ 20V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3.7W (Ta), 39W (Tc)

Betriebstemperatur

-50°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PowerPAK® 1212-8

Paket / Fall

PowerPAK® 1212-8

RQ5A040ZPTL

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

12V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

30mOhm @ 4A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

30nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2350pF @ 6V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

700mW (Ta)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

TSMT3

Paket / Fall

SC-96

IXFT96N20P

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

PolarHT™ HiPerFET™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

200V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

96A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

24mOhm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 4mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

145nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4800pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

600W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

TO-268

Paket / Fall

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Hersteller

IXYS

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

85V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

160A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

164nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

6400pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

360W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-3P

Paket / Fall

TO-3P-3, SC-65-3

IRF8306MTR1PBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

23A (Ta), 140A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.5mOhm @ 23A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.35V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

38nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4110pF @ 15V

FET-Funktion

Schottky Diode (Body)

Verlustleistung (max.)

2.1W (Ta), 75W (Tc)

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

DIRECTFET™ MX

Paket / Fall

DirectFET™ Isometric MX

Kürzlich verkauft

FMMT718TA

FMMT718TA

Diodes Incorporated

TRANS PNP 20V 1.5A SOT23-3

BC239C

BC239C

ON Semiconductor

TRANS NPN 25V 0.1A TO-92

SRR0735A-100M

SRR0735A-100M

Bourns

FIXED IND 10UH 2.1A 72 MOHM SMD

REF196GSZ

REF196GSZ

Analog Devices

IC VREF SERIES 3.3V 8SOIC

ADP125ARHZ-R7

ADP125ARHZ-R7

Analog Devices

IC REG LIN POS ADJ 500MA 8MSOP

GRM21AR72E102KW01D

GRM21AR72E102KW01D

Murata

CAP CER 1000PF 250V X7R 0805

MAX31865ATP+

MAX31865ATP+

Maxim Integrated

IC RTD TO DIGITAL CONVERT 20QFN

TNY290PG

TNY290PG

Power Integrations

IC OFF-LINE SWITCH PWM 8DIP

STPS40170CGY-TR

STPS40170CGY-TR

STMicroelectronics

DIODE ARRAY SCHOTTKY 170V D2PAK

WSL20103L000FEA

WSL20103L000FEA

Vishay Dale

RES 0.003 OHM 1% 1/2W 2010

MCP73862T-I/SL

MCP73862T-I/SL

Microchip Technology

IC LI-ION CTRLR 8.2/8.4V 16SOIC

REF192GS

REF192GS

Analog Devices

IC VREF SERIES 2.5V 8SOIC