Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

IRFR1N60ATRR

IRFR1N60ATRR

Nur als Referenz

Teilenummer IRFR1N60ATRR
PNEDA Teilenummer IRFR1N60ATRR
Beschreibung MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK
Hersteller Vishay Siliconix
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 2.214
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Feb 11 - Feb 16 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IRFR1N60ATRR Ressourcen

Marke Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIRFR1N60ATRR
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
IRFR1N60ATRR, IRFR1N60ATRR Datenblatt (Total Pages: 11, Größe: 243,73 KB)
PDFIRFR1N60ATRRPBF Datenblatt Cover
IRFR1N60ATRRPBF Datenblatt Seite 2 IRFR1N60ATRRPBF Datenblatt Seite 3 IRFR1N60ATRRPBF Datenblatt Seite 4 IRFR1N60ATRRPBF Datenblatt Seite 5 IRFR1N60ATRRPBF Datenblatt Seite 6 IRFR1N60ATRRPBF Datenblatt Seite 7 IRFR1N60ATRRPBF Datenblatt Seite 8 IRFR1N60ATRRPBF Datenblatt Seite 9 IRFR1N60ATRRPBF Datenblatt Seite 10 IRFR1N60ATRRPBF Datenblatt Seite 11

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • IRFR1N60ATRR Datasheet
  • where to find IRFR1N60ATRR
  • Vishay Siliconix

  • Vishay Siliconix IRFR1N60ATRR
  • IRFR1N60ATRR PDF Datasheet
  • IRFR1N60ATRR Stock

  • IRFR1N60ATRR Pinout
  • Datasheet IRFR1N60ATRR
  • IRFR1N60ATRR Supplier

  • Vishay Siliconix Distributor
  • IRFR1N60ATRR Price
  • IRFR1N60ATRR Distributor

IRFR1N60ATRR Technische Daten

HerstellerVishay Siliconix
Serie-
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)600V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.1.4A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs7Ohm @ 840mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs14nC @ 10V
Vgs (Max)±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds229pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)36W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketD-Pak
Paket / FallTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

IPA50R650CEXKSA2

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™ CE

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

500V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4.6A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

13V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

650mOhm @ 1.8A, 13V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 150µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

342pF @ 100V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

27.2W (Tc)

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220 Full Pack

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

SIR120DP-T1-RE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET® Gen IV

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

80V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

24.7A (Ta), 106A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

7.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.55mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

94nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4150pF @ 40V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

5.4W (Ta), 100W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PowerPAK® SO-8

Paket / Fall

PowerPAK® SO-8

PCFQ8P10W

MICROSS/On Semiconductor

Hersteller

MICROSS/On Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

-

Technologie

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

Die

Paket / Fall

Die

IPP80R450P7XKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

800V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

11A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

450mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 220µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

24nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

770pF @ 500V

FET-Funktion

Super Junction

Verlustleistung (max.)

73W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

PG-TO220-3

Paket / Fall

TO-220-3

MCH6437-P-TL-E

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

-

Technologie

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

6-MCPH

Paket / Fall

6-SMD, Flat Leads

Kürzlich verkauft

AD5934YRSZ

AD5934YRSZ

Analog Devices

IC DDS 16.776MHZ 12BIT 16SSOP

S3A-13-F

S3A-13-F

Diodes Incorporated

DIODE GEN PURP 50V 3A SMC

EPM7128SQC100-10N

EPM7128SQC100-10N

Intel

IC CPLD 128MC 10NS 100QFP

MD918A

MD918A

Central Semiconductor Corp

TRANS 2NPN 50MA 15V TO78-6

BNX026H01L

BNX026H01L

Murata

FILTER LC 10UF SMD

M29W200BB70N1

M29W200BB70N1

Micron Technology Inc.

IC FLASH 2M PARALLEL 48TSOP

AD7689BCBZ-RL7

AD7689BCBZ-RL7

Analog Devices

IC ADC 16BIT SAR 20WLCSP

EPCQ64ASI16N

EPCQ64ASI16N

Intel

IC CONFIG DEVICE 64MBIT 16SOIC

74V2G00STR

74V2G00STR

STMicroelectronics

IC GATE NAND 2CH 2-INP SOT23-8

AC0603FR-07100KL

AC0603FR-07100KL

Yageo

RES SMD 100K OHM 1% 1/10W 0603

0217.500MXP

0217.500MXP

Littelfuse

FUSE GLASS 500MA 250VAC 5X20MM

HCNR201-000E

HCNR201-000E

Broadcom

OPTOISO 5KV LINEAR PHVOLT 8DIP