Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

IRFR120NTRRPBF

IRFR120NTRRPBF

Nur als Referenz

Teilenummer IRFR120NTRRPBF
PNEDA Teilenummer IRFR120NTRRPBF
Beschreibung MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK
Hersteller Infineon Technologies
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 4.536
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Feb 8 - Feb 13 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IRFR120NTRRPBF Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIRFR120NTRRPBF
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • IRFR120NTRRPBF Datasheet
  • where to find IRFR120NTRRPBF
  • Infineon Technologies

  • Infineon Technologies IRFR120NTRRPBF
  • IRFR120NTRRPBF PDF Datasheet
  • IRFR120NTRRPBF Stock

  • IRFR120NTRRPBF Pinout
  • Datasheet IRFR120NTRRPBF
  • IRFR120NTRRPBF Supplier

  • Infineon Technologies Distributor
  • IRFR120NTRRPBF Price
  • IRFR120NTRRPBF Distributor

IRFR120NTRRPBF Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
SerieHEXFET®
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.9.4A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs210mOhm @ 5.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs25nC @ 10V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds330pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)48W (Tc)
Betriebstemperatur-
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketD-Pak
Paket / FallTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

IRF7233TRPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

12V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

9.5A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

20mOhm @ 9.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

600mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

74nC @ 5V

Vgs (Max)

±12V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

6000pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.5W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-SO

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

STP35N60DM2

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

MDmesh™ DM2

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

28A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

110mOhm @ 14A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

54nC @ 10V

Vgs (Max)

±25V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2400pF @ 100V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

210W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220

Paket / Fall

TO-220-3

2SK4198FS

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.34Ohm @ 2.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

14.3nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

360pF @ 30V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2W (Ta), 30W (Tc)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220-3

Paket / Fall

TO-220-3

STL7N80K5

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

SuperMESH5™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

800V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.6A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.2Ohm @ 3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

13.4nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

360pF @ 100V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

42W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PowerFlat™ (5x6)

Paket / Fall

8-PowerVDFN

IPB65R190C6ATMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

650V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

20.2A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

190mOhm @ 7.3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 730µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

73nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1620pF @ 100V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

151W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D²PAK (TO-263AB)

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Kürzlich verkauft

7M24000020

7M24000020

TXC

CRYSTAL 24MHZ 18PF SMD

CY7C68013A-128AXC

CY7C68013A-128AXC

Cypress Semiconductor

IC MCU USB PERIPH HI SPD 128LQFP

ABM8G-25.000MHZ-18-D2Y-T

ABM8G-25.000MHZ-18-D2Y-T

Abracon

CRYSTAL 25.0000MHZ 18PF SMD

LTM8027IV#PBF

LTM8027IV#PBF

Linear Technology/Analog Devices

DC DC CONVERTER 2.5-24V 4A

AD5447YRUZ

AD5447YRUZ

Analog Devices

IC DAC 12BIT A-OUT 24TSSOP

DFLS1200-7

DFLS1200-7

Diodes Incorporated

DIODE SCHOTTKY 200V POWERDI123

MC7805ACTG

MC7805ACTG

ON Semiconductor

IC REG LINEAR 5V 1A TO220AB

MCIMX27LMOP4A

MCIMX27LMOP4A

NXP

IC MPU I.MX27 400MHZ 473MAPBGA

AD823AR

AD823AR

Analog Devices

IC OPAMP JFET 2 CIRCUIT 8SOIC

PDTC143ZT,235

PDTC143ZT,235

Nexperia

TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB

BZX84C3V9

BZX84C3V9

ON Semiconductor

DIODE ZENER 3.9V 350MW SOT23-3

RL2010FK-070R43L

RL2010FK-070R43L

Yageo

RES 0.43 OHM 1% 3/4W 2010