IRFR120NCTRLPBF
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| Teilenummer | IRFR120NCTRLPBF |
| PNEDA Teilenummer | IRFR120NCTRLPBF |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.160 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IRFR120NCTRLPBF Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IRFR120NCTRLPBF |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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IRFR120NCTRLPBF Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | HEXFET® |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 9.4A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 210mOhm @ 5.6A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 330pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 48W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | D-Pak |
| Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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Hersteller Infineon Technologies Serie HEXFET® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 19A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.7mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 50µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 39nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2496pF @ 10V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 2.8W (Ta), 37W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket - Paket / Fall 8-PowerTDFN |
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Hersteller IXYS Serie HiPerFET™, Polar3™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 34A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 170mOhm @ 17A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 60nC @ 10V Vgs (Max) ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3260pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 695W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-3P Paket / Fall TO-3P-3, SC-65-3 |
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Hersteller Vishay Siliconix Serie E FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 22A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 147mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 84nC @ 10V Vgs (Max) ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2063pF @ 100V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 174W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket PowerPAK® 8 x 8 Paket / Fall 8-PowerTDFN |
