IRFH8201TRPBF
Nur als Referenz
Teilenummer | IRFH8201TRPBF |
PNEDA Teilenummer | IRFH8201TRPBF |
Beschreibung | MOSFET N-CH 25V 100A PQFN |
Hersteller | Infineon Technologies |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 4.500 |
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IRFH8201TRPBF Ressourcen
Marke | Infineon Technologies |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | IRFH8201TRPBF |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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IRFH8201TRPBF Technische Daten
Hersteller | Infineon Technologies |
Serie | HEXFET®, StrongIRFET™ |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 49A (Ta), 100A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 0.95mOhm @ 50A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.35V @ 150µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 111nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 7330pF @ 13V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 3.6W (Ta), 156W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montagetyp | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | 8-PQFN (5x6) |
Paket / Fall | 8-PowerTDFN |
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