IRFH7911TRPBF
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| Teilenummer | IRFH7911TRPBF |
| PNEDA Teilenummer | IRFH7911TRPBF |
| Beschreibung | MOSFET 2N-CH 30V 13A/28A PQFN |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.384 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IRFH7911TRPBF Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IRFH7911TRPBF |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
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IRFH7911TRPBF Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | HEXFET® |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 13A, 28A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.6mOhm @ 12A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.35V @ 25µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1060pF @ 15V |
| Leistung - max | 2.4W, 3.4W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 18-PowerVQFN |
| Lieferantengerätepaket | PQFN (5x6) |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 1.3A Rds On (Max) @ Id, Vgs 200mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.2nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 300pF @ 10V Leistung - max 500mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-UFDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket 6-UDFN (1.6x1.6) |
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