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IRFH7911TRPBF

IRFH7911TRPBF

Nur als Referenz

Teilenummer IRFH7911TRPBF
PNEDA Teilenummer IRFH7911TRPBF
Beschreibung MOSFET 2N-CH 30V 13A/28A PQFN
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 3.384
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IRFH7911TRPBF Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIRFH7911TRPBF
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

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IRFH7911TRPBF Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
SerieHEXFET®
FET-Typ2 N-Channel (Dual)
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.13A, 28A
Rds On (Max) @ Id, Vgs8.6mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.35V @ 25µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs12nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds1060pF @ 15V
Leistung - max2.4W, 3.4W
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall18-PowerVQFN
LieferantengerätepaketPQFN (5x6)

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Hersteller

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Serie

-

FET-Typ

3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

10A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

140mOhm @ 5A, 4V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

460pF @ 10V

Leistung - max

5W

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

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FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

30A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7mOhm @ 12A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

39nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1869pF @ 15V

Leistung - max

48W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

PowerPAK® SO-8 Dual

Lieferantengerätepaket

PowerPAK® SO-8 Dual

FQS4900TF

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

QFET®

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V, 300V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

1.3A, 300mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

550mOhm @ 650mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.95V @ 20mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.1nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

NTLUD3A260PZTAG

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

1.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

200mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4.2nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

300pF @ 10V

Leistung - max

500mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

46mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7.3nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

670pF @ 10V

Leistung - max

1.5W

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

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