IRFH6200TR2PBF
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| Teilenummer | IRFH6200TR2PBF |
| PNEDA Teilenummer | IRFH6200TR2PBF |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 20V 100A 5X6 PQFN |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.370 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IRFH6200TR2PBF Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IRFH6200TR2PBF |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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IRFH6200TR2PBF Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | HEXFET® |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 49A (Ta), 100A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 0.95mOhm @ 50A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.1V @ 150µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 230nC @ 4.5V |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 10890pF @ 10V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 3.6W (Ta), 156W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | 8-PQFN (5x6) |
| Paket / Fall | 8-PowerVDFN |
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