IRFH4253DTRPBF
Nur als Referenz
Teilenummer | IRFH4253DTRPBF |
PNEDA Teilenummer | IRFH4253DTRPBF |
Beschreibung | MOSFET 2N-CH 25V 64A/145A PQFN |
Hersteller | Infineon Technologies |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 28.980 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
Voraussichtliche Lieferung | Jan 10 - Jan 15 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * |
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
IRFH4253DTRPBF Ressourcen
Marke | Infineon Technologies |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | IRFH4253DTRPBF |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.
Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:
Schnelle Reaktionsfähigkeit
Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.
Garantierte Qualität
Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.
Globaler Zugriff
Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.
Hot search vocabulary
- IRFH4253DTRPBF Datasheet
- where to find IRFH4253DTRPBF
- Infineon Technologies
- Infineon Technologies IRFH4253DTRPBF
- IRFH4253DTRPBF PDF Datasheet
- IRFH4253DTRPBF Stock
- IRFH4253DTRPBF Pinout
- Datasheet IRFH4253DTRPBF
- IRFH4253DTRPBF Supplier
- Infineon Technologies Distributor
- IRFH4253DTRPBF Price
- IRFH4253DTRPBF Distributor
IRFH4253DTRPBF Technische Daten
Hersteller | Infineon Technologies |
Serie | HEXFET® |
FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
FET-Funktion | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 64A, 145A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.2mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 35µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 4.5V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1314pF @ 13V |
Leistung - max | 31W, 50W |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | 8-PowerVDFN |
Lieferantengerätepaket | PQFN (5x6) |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
Diodes Incorporated Hersteller Diodes Incorporated Serie - FET-Typ N and P-Channel FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 6.5A, 4.8A Rds On (Max) @ Id, Vgs 28mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12.9nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 604pF @ 20V Leistung - max 1.8W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SO |
Advanced Linear Devices Inc. Hersteller Advanced Linear Devices Inc. Serie EPAD®, Zero Threshold™ FET-Typ 4 N-Channel, Matched Pair FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 10.6V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 80mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 25Ohm Vgs (th) (Max) @ Id 20mV @ 10µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 15pF @ 5V Leistung - max 500mW Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 16-SOIC |
Rohm Semiconductor Hersteller Rohm Semiconductor Serie - FET-Typ N and P-Channel FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 6A, 7A Rds On (Max) @ Id, Vgs 30mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.2nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 520pF @ 10V Leistung - max 2W Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOP |
Vishay Siliconix Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® FET-Typ 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 8V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 570mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 600mOhm @ 570mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 450mV @ 250µA (Min) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.3nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Leistung - max 270mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket SC-70-6 (SOT-363) |
ON Semiconductor Hersteller ON Semiconductor Serie PowerTrench® FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 3A Rds On (Max) @ Id, Vgs 70mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.6nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 324pF @ 10V Leistung - max 700mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Lieferantengerätepaket SuperSOT™-6 |