IRFD210
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Teilenummer | IRFD210 |
PNEDA Teilenummer | IRFD210 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 200V 600MA 4-DIP |
Hersteller | Vishay Siliconix |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 2.430 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
Voraussichtliche Lieferung | Dez 26 - Dez 31 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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IRFD210 Ressourcen
Marke | Vishay Siliconix |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | IRFD210 |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt |
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IRFD210 Technische Daten
Hersteller | Vishay Siliconix |
Serie | - |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 600mA (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5Ohm @ 360mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.2nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 140pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 1W (Ta) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montagetyp | Through Hole |
Lieferantengerätepaket | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
Paket / Fall | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
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