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IRFBC30S

IRFBC30S

Nur als Referenz

Teilenummer IRFBC30S
PNEDA Teilenummer IRFBC30S
Beschreibung MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK
Hersteller Vishay Siliconix
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IRFBC30S Ressourcen

Marke Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIRFBC30S
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
IRFBC30S, IRFBC30S Datenblatt (Total Pages: 11, Größe: 324,01 KB)
PDFIRFBC30LPBF Datenblatt Cover
IRFBC30LPBF Datenblatt Seite 2 IRFBC30LPBF Datenblatt Seite 3 IRFBC30LPBF Datenblatt Seite 4 IRFBC30LPBF Datenblatt Seite 5 IRFBC30LPBF Datenblatt Seite 6 IRFBC30LPBF Datenblatt Seite 7 IRFBC30LPBF Datenblatt Seite 8 IRFBC30LPBF Datenblatt Seite 9 IRFBC30LPBF Datenblatt Seite 10 IRFBC30LPBF Datenblatt Seite 11

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IRFBC30S Technische Daten

HerstellerVishay Siliconix
Serie-
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)600V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.3.6A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.2Ohm @ 2.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs31nC @ 10V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds660pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)3.1W (Ta), 74W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketD2PAK
Paket / FallTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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IPAW60R280CEXKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

19.3A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

280mOhm @ 6.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 430µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

43nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

950pF @ 100V

FET-Funktion

Super Junction

Verlustleistung (max.)

32W (Tc)

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

PG-TO220 Full Pack, Wide Creepage

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack, Variant

SIR424DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

30A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.5mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

35nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1250pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

4.8W (Ta), 41.7W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PowerPAK® SO-8

Paket / Fall

PowerPAK® SO-8

IRLR3715Z

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

49A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

11mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.55V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

810pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

40W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D-Pak

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

FCB110N65F

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

FRFET®, SuperFET® II

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

650V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

35A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

110mOhm @ 17.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 3.5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

145nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4895pF @ 100V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

357W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D²PAK

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

AUIRFZ44ZS

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

55V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

51A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

13.9mOhm @ 31A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

43nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1420pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

80W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D2PAK

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Kürzlich verkauft

DALC208SC6

DALC208SC6

STMicroelectronics

TVS DIODE 5V SOT23-6

LT1963AEST-3.3#PBF

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Linear Technology/Analog Devices

IC REG LINEAR 3.3V 1.5A SOT223-3

MAX3002EUP+

MAX3002EUP+

Maxim Integrated

IC TRNSLTR BIDIRECTIONAL 20TSSOP

ZXM61P02FTA

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Diodes Incorporated

MOSFET P-CH 20V 0.9A SOT23-3

ADV7123SCP170EP-RL

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IC DAC 10BIT A-OUT 48LQFP

BC817-16,215

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Nexperia

TRANS NPN 45V 0.5A SOT23

MBR4045PT

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Diodes Incorporated

DIODE ARRAY SCHOTTKY 45V TO3P

ISL21010CFH325Z-TK

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Renesas Electronics America Inc.

IC VREF SERIES 2.5V SOT23-3

302R29W102KV4E

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Johanson Dielectrics

CAP CER 1000PF 3KV X7R 1808

7443556350

7443556350

Wurth Electronics

FIXED IND 3.5UH 22.5A 3.1 MOHM

HCPL-3700-500E

HCPL-3700-500E

Broadcom

OPTOISOLATOR 3.75KV DARL 8DIP GW

IS34ML01G081-TLI-TR

IS34ML01G081-TLI-TR

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