IRFBA90N20DPBF
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| Teilenummer | IRFBA90N20DPBF |
| PNEDA Teilenummer | IRFBA90N20DPBF |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 200V 98A SUPER-220 |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.750 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IRFBA90N20DPBF Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IRFBA90N20DPBF |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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IRFBA90N20DPBF Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | HEXFET® |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 98A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23mOhm @ 59A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 240nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 6080pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 650W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | SUPER-220™ (TO-273AA) |
| Paket / Fall | TO-273AA |
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